최시영 삼성파운드리 사장 “내년 상반기 3나노에 GAA 기술 도입”

등록 2021.10.07 02:00

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‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 개최2025년 3세대 GAA 2나노 공정 양산 계획

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장의 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 기조연설 모습. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 내년 상반기 GAA(게이트올어라운드) 기술을 반도체 3나노 공정에 도입한다. 또 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 자신감을 나타냈다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 7일 새벽(한국시간) 온라인으로 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 기조연설에서 이러한 내용을 공개했다.

최 사장은 “대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 말했다.

이어 “코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데, 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것”이라고 덧붙였다.

GAA 기술은 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적이라고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(멀티 브릿지 채널 FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상된다.

3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다고 삼성전자는 밝혔다.

삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술을 지속적으로 개선하고 있으며, 이번 포럼을 통해 핀펫 기반 17나노 신공정을 발표했다.

17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43% 감소될 거란 설명이다.

삼성전자는 이번 파운드리 포럼에 역대 행사 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 끌었다고 분위기를 전했다.

다음달 삼성전자는 파운드리 고객과 파트너사의 생태계 강화를 위한 세이프 포럼(SAFE)을 온라인으로 열 예정이다.